基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結(4片裝)

  • 價格 4394.00
  • 庫存20
  • 品牌Graphene Supermarket
  • 產地美國
  • 型號
  • 數量
詳情

基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯/CVD六方氮化硼異質結
石墨烯/h-BN薄膜的性質:
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm(p摻雜)SiO2/Si晶片上

尺寸:1cmx1cm; 4片裝
每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制
該產品的覆蓋率約為98%
薄膜是連續的,有小孔和有機殘留物
高結晶質量
石墨烯薄膜預先單層(超過95%),偶爾有少量多層(雙層小于5%)
薄層電阻:430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長,然后轉移到SiO2/Si晶片上。

硅/二氧化硅晶圓的特性:
氧化層厚度:285nm
顏色:紫羅蘭色
晶圓厚度:525微米
電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑:P /硼
方向:<100>
前表面:拋光
背面:蝕刻

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